CVD是一種氣相物質(zhì)在高溫下通過(guò)低化學(xué)反應(yīng)而生成固體物質(zhì)并沉積在基板上的成膜方法。具體的說(shuō)揮發(fā)性的金屬鹵化物和金屬有機(jī)化合物等與H2,Ar或N2等遠(yuǎn)載氣體混合后,均勻的送到反應(yīng)室的高溫基板上,通過(guò)熱解還原,氧化,水解,歧化,聚合等化學(xué)反應(yīng)。
CVD系統(tǒng)由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)，除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域 。
CVD系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)。
CVD系統(tǒng)產(chǎn)品的特點(diǎn)：
1.兼容、常壓、微正壓多種主流的生長(zhǎng)模式；
2.可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長(zhǎng)；
3. 使用計(jì)算機(jī)控制，可以設(shè)置多種生長(zhǎng)參數(shù)；
4.可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達(dá)數(shù)厘米，研究動(dòng)力學(xué)過(guò)程；
5. 沉積效率高；薄膜的成分精確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實(shí)現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)。
CVD系統(tǒng)的產(chǎn)品用途：
適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控。
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